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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DFN | 包装说明： | 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | 高边驱动器： | NO |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | JESD-30 代码： | S-XDSO-N6 |
| 长度： | 2 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 标称输出峰值电流： | 2 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | VSON |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm | 最大供电电压： | 25 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V | 标称供电电压： | 15 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 断开时间： | 0.035 µs |
| 接通时间： | 0.04 µs | 宽度： | 2 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXDS430 | IXYS |
获取价格 |
30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver |
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| IXDS430SI | IXYS |
获取价格 |
30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver |
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| IXDS502 | IXYS |
获取价格 |
2 Ampere Single Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers |
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| IXDS502D1B | IXYS |
获取价格 |
Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6 |
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| IXDS502D1BT/R | IXYS |
获取价格 |
Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6 |
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| IXDT30N120 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT with optional Diode |
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| IXDT30N120AU1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-268AA |
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| IXDT30N120D1 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT with optional Diode |
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| IXE2412 | INTEL |
获取价格 |
Interface Circuit, PBGA600, 40 X 40 MM, 1.27 MM PITCH, TBGA-600 |
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| IXE2412EA | INTEL |
获取价格 |
Interface Circuit, PBGA600, TBGA-600 |
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