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IXDR30N120D1

更新时间： 2024-11-20 22:12:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 71K
描述
High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package

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IXDR30N120D1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：ISOPLUS包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：4.2
其他特性：HIGH SPEED SWITCHING, LOW SWITCHING LOSS, FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：50 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：570 ns
标称接通时间 (ton)：170 nsBase Number Matches：1

IXDR30N120D1 数据手册

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VCES  
IC25  
= 1200 V  
= 50 A  
IXDR 30N120 D1  
IXDR 30N120  
High Voltage IGBT  
with optional Diode  
VCE(sat) typ = 2.4 V  
ISOPLUSTM package  
(Electrically Isolated Back Side)  
ISOPLUS 247TM  
E153432  
C
C
Short Circuit SOA Capability  
Square RBSOA  
G
G
G
C
E
Isolated Backside*  
E
E
IXDR 30N120  
IXDR 30N120 D1  
G = Gate  
C = Collector E = Emitter  
*Patent pending  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1200  
1200  
V
V
• NPT IGBT technology  
- high switching speed  
- low switching losses  
- square RBSOA, no latch up  
- high short circuit capability  
- positive temperature coefficient for  
easy paralleling  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 20 kW  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
50  
30  
60  
A
A
A
TC = 90°C  
- MOS input, voltage controlled  
- fast recovery epitaxial diode  
Epoxy meets UL 94V-0  
TC = 90°C, tp = 1 ms  
●
●
Isolated and UL registered E153432  
RBSOA  
VGE = ±15 V, TJ = 125°C, RG = 47 W  
ICM = 50  
A
Clamped inductive load, L = 30 mH  
VCEK < VCES  
tSC  
(SCSOA)  
VGE = ±15 V, VCE = VCES, TJ = 125°C  
RG = 47 W, non repetitive  
10  
µs  
Advantages  
• DCB Isolated mounting tab  
• Meets TO-247AD package Outline  
• Package for clip or spring mounting  
• Space savings  
PC  
TC = 25°C  
IGBT  
Diode  
200  
95  
W
W
TJ  
-55 ... +150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
• High power density  
Tstg  
VISOL  
50/60 Hz, RMS IISOL £ 1 mA  
2500  
6
V~  
g
TypicalApplications  
Weight  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
• Uninteruptible power supplies (UPS)  
• Switch-mode and resonant-mode  
power supplies  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
V(BR)CES  
VGE(th)  
ICES  
VGE = 0 V  
1200  
4.5  
V
V
IC = 1 mA, VCE = VGE  
6.5  
VCE = VCES  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
1.5 mA  
mA  
2.5  
2.4  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
IC = 30 A, VGE = 15 V  
± 500 nA  
VCE(sat)  
2.9  
V
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
1234

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IXDR30N120D1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXGH10N60AU1 IXYS

类似代替

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