5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXDR35N60BD1
IXDR35N60BD1 PDF预览

IXDR35N60BD1

更新时间： 2024-11-19 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 189K
描述
D系列IGBT为NPT（非穿通型）器件，适合进行并联。? 较低的尾电流可保持较低的开关损耗，同时还具有短路功能。 该D系列产品还提供方形反向偏压安全工作区(RBSOA)，可提高钳位感应负载电流，让

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXDR35N60BD1 数据手册

 浏览型号IXDR35N60BD1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXDR35N60BD1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXDR35N60BD1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXDR35N60BD1的Datasheet PDF文件第5页 
IXDR 35N60 BD1  
VCES  
IC25  
VCE(sat) typ= 2.2 V  
= 600 V  
= 38 A  
IGBT  
with optional Diode  
High Speed,  
Low Saturation Voltage  
ISOPLUS 247TM  
C
E
G
G
C
E
Isolated back surface  
G = Gate,  
E = Emitter  
C = Collector ,  
TAB = Collector  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
●
NPT IGBT technology  
low switching losses  
low tail current  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
●
●
●
●
●
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 20 kΩ  
no latch up  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±±0  
V
V
short circuit capability  
positive temperature coefficient for  
easy paralleling  
MOS input, voltage controlled  
optional ultra fast diode  
Epoxy meets UL 94V-0  
Isolated and UL registered E15±4±2  
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
±8  
24  
48  
A
A
A
●
●
●
●
TC = 90°C  
TC = 90°C, tp =1 ms  
RBSOA  
VGE= ±15 V, TJ = 125°C, RG = 10 Ω  
Clamped inductive load, L = ±0 µH  
ICM = 110  
VCEK < VCES  
A
Advantages  
tSC  
VGE= ±15 V, VCE = 600 V, TJ = 125°C  
10  
µs  
(SCSOA)  
RG = 10 Ω, non repetitive  
●
DCB Isolated mounting tab  
Meets TO-247AD package Outline  
Package for clip or spring mounting  
Space savings  
●
PC  
TC = 25°C  
IGBT  
125  
50  
W
W
●
Diode  
●
TJ  
-55 ... +150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
●
High power density  
Tstg  
VISOL  
FC  
50/60 Hz RMS; IISOL ≤ 1 mA  
mounting force with clip  
typical  
2500  
20...120  
6
V~  
N
Typical Applications  
●
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
●
Weight  
g
●
●
●
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Switch-mode and resonant-mode  
power supplies  
V(BR)CES  
VGE(th)  
ICES  
VGE = 0 V  
600  
±
V
V
IC = 0.7 mA, VCE = VGE  
VCE = VCES  
5
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
0.1 mA  
mA  
1
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
IC = ±5 A, VGE = 15 V  
± 500 nA  
VCE(sat)  
2.2  
2.7  
V
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2006 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
12345

中文翻译

下载PDF

与IXDR35N60BD1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXDR502 IXYS

获取价格

 		2 Ampere Single Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
IXDR502D1B IXYS

获取价格

 		Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6
IXDR502D1BT/R IXYS

获取价格

 		Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6
IXDS430 IXYS

获取价格

 		30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
IXDS430SI IXYS

获取价格

 		30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
IXDS502 IXYS

获取价格

 		2 Ampere Single Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
IXDS502D1B IXYS

获取价格

 		Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6
IXDS502D1BT/R IXYS

获取价格

 		Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6
IXDT30N120 IXYS

获取价格

 		High Voltage IGBT with optional Diode
IXDT30N120AU1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-268AA

与IXDR35N60BD1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证