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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> ISL9K1560G3
ISL9K1560G3 PDF预览

ISL9K1560G3

更新时间： 2024-09-18 22:26:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管局域网软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 144K
描述
15A, 600V Stealth⑩ Dual Diode

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ISL9K1560G3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.72Is Samacsys：N
其他特性：FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.04 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ISL9K1560G3 数据手册

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November 2002  
ISL9K1560G3  
15A, 600V Stealth™ Dual Diode  
General Description  
Features  
•
•
•
•
•
Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t / t > 1.2  
b a  
The ISL9K1560G3 is a Stealth™ dual diode optimized for low  
loss performance in high frequency hard switched applications.  
The Stealth™ family exhibits low reverse recovery current  
Fast Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . t < 30ns  
rr  
o
Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175 C  
(I  
) and exceptionally soft recovery under typical  
RM(REC)  
Reverse Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Avalanche Energy Rated  
operating conditions.  
This device is intended for use as a free wheeling or boost  
diode in power supplies and other power switching  
Applications  
applications. The low I  
and short t phase reduce loss  
RM(REC)  
a
•
•
•
•
•
•
Switch Mode Power Supplies  
Hard Switched PFC Boost Diode  
UPS Free Wheeling Diode  
Motor Drive FWD  
in switching transistors. The soft recovery minimizes ringing,  
expanding the range of conditions under which the diode may  
be operated without the use of additional snubber circuitry.  
Consider using the Stealth™ diode with an SMPS IGBT to  
provide the most efficient and highest power density design at  
lower cost.  
SMPS FWD  
Snubber Diode  
Formerly developmental type TA49410.  
Package  
Symbol  
JEDEC STYLE TO-247  
K
ANODE 2  
CATHODE  
ANODE 1  
CATHODE  
(BOTTOM SIDE  
METAL)  
A1  
A2  
Device Maximum Ratings (per leg) T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
600  
Units  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
RRM  
RWM  
V
600  
V
600  
R
o
I
Average Rectified Forward Current (T = 145 C)  
Total Device Current (Both Legs)  
15  
30  
A
A
F(AV)  
C
I
Repetitive Peak Surge Current (20kHz Square Wave)  
Nonrepetitive Peak Surge Current (Halfwave 1 Phase 60Hz)  
Power Dissipation  
30  
200  
A
A
FRM  
I
FSM  
P
150  
W
mJ  
°C  
D
E
Avalanche Energy (1A, 40mH)  
20  
AVL  
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 175  
J
STG  
T
Maximum Temperature for Soldering  
L
T
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334  
300  
260  
°C  
°C  
PKG  
CAUTION: Stresses above those listed in “Device Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
ISL9K1560G3 Rev. C1  
123456

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与ISL9K1560G3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ISL9K18120G3 FAIRCHILD

获取价格

 		18A, 1200V Stealth⑩ Dual Diode
ISL9K30120G3 FAIRCHILD

获取价格

 		30A, 1200V Stealth⑩ Dual Diode
ISL9K3060G3 FAIRCHILD

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 		30A, 600V Stealth⑩ Dual Diode
ISL9K3060G3 ONSEMI

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 		60A，600V，STEALTH™ 双二极管
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ISL9K460P3 ONSEMI

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ISL9K8120P3 FAIRCHILD

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 		8A, 1200V Stealth⑩ Dual Diode
ISL9K8120P3_NL FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 8A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, LEAD
ISL9K860P3 FAIRCHILD

获取价格

 		8A, 600V Stealth⑩ Dual Diode
ISL9N2357D3ST FAIRCHILD

获取价格

 		30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET Trench Power MOSFET

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