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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | TO-263AB, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ISL9N303AS3ST_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| ISL9N303AS3STL86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| ISL9N303AS3STL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| ISL9N303AS3STS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| ISL9N304AP3 | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs |
|
| ISL9N304AS3ST | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs |
|
| ISL9N304AS3STL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| ISL9N304AS3STS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| ISL9N305ASK8T | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 18A I(D) | SO |
|
| ISL9N306AD3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET |
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