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ISL9N302AS3STS62Z

更新时间： 2024-09-19 19:42:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 128K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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ISL9N302AS3STS62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0033 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ISL9N302AS3STS62Z 数据手册

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January 2002  
ISL9N302AS3ST  
N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET® Trench Power MOSFETs  
General Description  
Features  
This device employs a new advanced trench MOSFET  
technology and features low gate charge while maintaining  
low on-resistance.  
• Fast switching  
• r  
• r  
= 0.0019Ω (Typ), V = 10V  
GS  
DS(ON)  
DS(ON)  
= 0.0027Ω (Typ), V = 4.5V  
Optimized for switching applications, this device improves  
the overall efficiency of DC/DC converters and allows  
operation to higher switching frequencies.  
GS  
• Q (Typ) = 110nC, V = 5V  
g
GS  
• Q (Typ) = 31nC  
gd  
Applications  
• DC/DC converters  
• C  
(Typ) = 11000pF  
ISS  
DRAIN  
(FLANGE)  
D
S
GATE  
G
SOURCE  
TO-263AB  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
DSS  
GS  
20  
Drain Current  
o
75  
75  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 100 C, V = 4.5V)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T = 25 C, V = 10V, R = 43 C/W)  
θJA  
28  
A
C
GS  
Pulsed  
Figure 4  
A
Power dissipation  
Derate above 25 C  
345  
2.3  
W
W/ C  
P
o
o
D
Thermal Characteristics  
o
o
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-263  
0.43  
62  
C/W  
C/W  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263  
2
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in copper pad area  
43  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
N302AS  
ISL9N302AS3ST  
TO-263AB  
330mm  
24mm  
800 units  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B,January 2002  
1234567...11

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