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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> ISL9N303AS3
ISL9N303AS3 PDF预览

ISL9N303AS3

更新时间： 2024-09-18 22:26:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 265K
描述
N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз

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ISL9N303AS3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：TO-262AA, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.005 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：215 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ISL9N303AS3 数据手册

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September 2002  
PWM Optimized  
ISL9N303AP3 / ISL9N303AS3ST / ISL9N303AS3  
N-Channel Logic Level UltraFET® Trench MOSFETs  
30V, 75A, 3.2mΩ  
General Description  
Features  
This device employs a new advanced trench MOSFET  
technology and features low gate charge while maintaining  
low on-resistance.  
•
•
•
•
•
•
Fast switching  
r
r
= 0.0026Ω (Typ), V = 10V  
GS  
DS(ON)  
DS(ON)  
= 0.004Ω (Typ), V = 4.5V  
Optimized for switching applications, this device improves  
the overall efficiency of DC/DC converters and allows  
operation to higher switching frequencies.  
GS  
Q (Typ) = 61nC, V = 5V  
g
GS  
Q
(Typ) = 17nC  
gd  
Applications  
•
DC/DC converters  
C
(Typ) = 7000pF  
ISS  
SOURCE  
DRAIN  
DRAIN  
(FLANGE)  
D
S
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
GATE  
G
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
TO-220AB  
TO-262AB  
TO-263AB  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
75  
75  
A
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 100 C, V = 4.5V)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T = 25 C, V = 10V, R = 43 C/W)  
θJA  
25  
C
GS  
Pulsed  
Figure 4  
Power dissipation  
Derate above  
215  
1.43  
W
W/ C  
P
o
D
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
o
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, TO-262, TO-263  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-262, TO-263  
0.7  
62  
43  
C/W  
C/W  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
2
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in copper pad area  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
N303AS  
Device  
Package  
TO-263AB  
TO-220AB  
TO-262AA  
Reel Size  
330mm  
Tube  
Tape Width  
Quantity  
800 units  
50 units  
50 units  
ISL9N303AS3ST  
ISL9N303AP3  
ISL9N303AS3  
24mm  
N/A  
N303AP  
N303AS  
Tube  
N/A  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
ISL9N303AP3 / ISL9N303AS3ST / ISL9N303AS3, Rev. C1  
1234567...11

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与ISL9N303AS3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ISL9N303AS3_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ISL9N303AS3ST FAIRCHILD

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 		N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs
ISL9N303AS3ST ROCHESTER

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 		75A, 30V, 0.005ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN
ISL9N303AS3ST_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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