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ISL9K3060G3

更新时间： 2024-11-09 11:11:23

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安森美 - ONSEMI		软恢复二极管快速软恢复二极管局域网
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8页	326K
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60A，600V，STEALTH™ 双二极管

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ISL9K3060G3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	1.96	其他特性：	FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用：	FAST SOFT RECOVERY	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	2.1 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	325 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.045 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

ISL9K3060G3 数据手册

STEALTHt Dual Diode

60 A, 600 V

ISL9K3060G3

Description

The ISL9K3060G3 is a STEALTH dual diode optimized for low

loss performance in high frequency hard switched applications.

www.onsemi.com

The STEALTH family exhibits low reverse recovery current (I

)

and exceptionally soft recovery under typical operating conditions.

This device is intended for use as a free wheeling or boost diode

in power supplies and other power switching applications. The low

CATHODE

(BOTTOM SIDE METAL)

ANODE 2

CATHODE

ANODE 1

and short ta phase reduce loss in switching transistors. The soft

recovery minimizes ringing, expanding the range of conditions under

which the diode may be operated without the use of additional snubber

circuitry. Consider using the STEALTH diode with an SMPS IGBT

to provide the most efficient and highest power density design at lower

cost.

TO−247−3LD

CASE 340CK

Features

• Stealth Recovery t = 36 ns (@ I = 30 A)

• Max Forward Voltage, V = 2.4 V (@ T = 25°C)

• 600 V Reverse Voltage and High Reliability

• Avalanche Energy Rated

• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant

Applications

• Switch Mode Power Supplies

• Hard Switched PFC Boost Diode

• UPS Free Wheeling Diode

• Motor Drive FWD

MARKING DIAGRAM

• SMPS FWD

$Y&Z&3&K

K3060G3

• Snubber Diode

= ON Semiconductor Logo

= Assembly Plant Code

= Numeric Date Code

= Lot Code

K3060G3

= Specific Device Code

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 2 of

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Publication Order Number:

February, 2020 − Rev. 3

ISL9K3060G3/D

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ISL9K460P3	FAIRCHILD	获取价格	4A, 600V Stealth⑩ Dual Diode
ISL9K460P3	ONSEMI	获取价格	8 A、600 V STEALTH™ 双二极管
ISL9K8120P3	FAIRCHILD	获取价格	8A, 1200V Stealth⑩ Dual Diode
ISL9K8120P3_NL	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 8A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, LEAD
ISL9K860P3	FAIRCHILD	获取价格	8A, 600V Stealth⑩ Dual Diode
ISL9N2357D3ST	FAIRCHILD	获取价格	30V, 0.007 Ohm, 35A, N-Channel UltraFET Trench Power MOSFET
ISL9N302AP3	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
ISL9N302AS3ST	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
ISL9N302AS3ST_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
ISL9N302AS3STL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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