是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.77 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS62C1024-70TI | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS62C1024-70TI | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS62C1024-70U | ETC |
获取价格 |
IC-SM-1MB CMOS SRAM | |
IS62C1024-70W | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS62C1024-70W | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | |
IS62C1024-70WI | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS62C10248AL | ISSI |
获取价格 |
1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62C10248AL-55MLI | ISSI |
获取价格 |
1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62C10248AL-55TLI | ISSI |
获取价格 |
1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62C1024AL | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |