是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | DIP, DIP32,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.86 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS62C1024-70WI | ICSI |
获取价格 |
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS62C10248AL | ISSI |
获取价格 |
1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62C10248AL-55MLI | ISSI |
获取价格 |
1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62C10248AL-55TLI | ISSI |
获取价格 |
1M x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62C1024AL | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62C1024AL-35Q | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62C1024AL-35QI | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62C1024AL-35QI-TR | ISSI |
获取价格 |
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP | |
IS62C1024AL-35QLI | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62C1024AL-35QLI-TR | ISSI |
获取价格 |
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP |