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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | TSSOP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 1.95 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IS62C1024AL-35TI-TR | ISSI |
类似代替  |
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 20 X 8 MM, TSOP1-32 |
|
| IS62C1024AL-35TLI | ISSI |
类似代替 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62C1024AL-35TI | ISSI |
类似代替 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS62C1024L | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62C1024-L100W | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDIP32 |
|
| IS62C1024L-35Q | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62C1024L-35QI | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62C1024L-35T | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62C1024L-35TI | ISSI |
获取价格 |
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
|
| IS62C1024L-35W | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS62C1024L-35WI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS62C1024L-45Q | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS62C1024L-45QI | ETC |
获取价格 |
SRAM|128KX8|CMOS|SOP|32PIN|PLASTIC |
|
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