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IS61LPS25636D-200TQI

更新时间： 2024-09-17 14:42:55
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 177K
描述
Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

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IS61LPS25636D-200TQI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：TQFP-100针数：100
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.48
最长访问时间：3.1 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：200 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PQFP-G100JESD-609代码：e0
长度：20 mm内存密度：9437184 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：36
功能数量：1端子数量：100
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：2.5/3.3,3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：14 mm
Base Number Matches：1

IS61LPS25636D-200TQI 数据手册

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IS61LPS25632T/D/J  
IS61LPS25636T/D/J  
IS61LPS51218T/DJ  
®
ISSI  
256K x 32, 256K x 36, 512K x 18  
SYNCHRONOUS PIPELINED,  
PRELIMINARY INFORMATION  
FEBRUARY 2002  
SINGLE-CYCLE DESELECT STATIC RAM  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The ISSI IS61LPS25632T/D/J,IS61LPS25636T/D/J,and  
IS61LPS51218T/D/JT/D/JT/D/Jarehigh-speed,low-power  
synchronousstaticRAMsdesignedtoprovideburstable,high-  
performancememoryforcommunicationandnetworkingappli-  
cations.TheIS61LPS25632T/D/Jisorganizedas262,144  
wordsby32bitsandtheIS61LPS25636T/D/Jisorganized  
as262,144wordsby36bits.TheIS61LPS51218T/D/JT/D/  
JT/D/Jisorganizedas524,288wordsby18bits.Fabricated  
with ISSI's advanced CMOS technology, the device inte-  
grates a 2-bit burst counter, high-speed SRAM core, and  
high-drivecapabilityoutputsintoasinglemonolithiccircuit.  
Allsynchronousinputspassthroughregisterscontrolledby  
a positive-edge-triggered single clock input.  
• Internal self-timed write cycle  
• Individual Byte Write Control and Global Write  
• Clock controlled, registered address, data and  
control  
• Linear burst sequence control using MODE  
input  
•
Three chip enable option for simple depth  
expansion and address pipelining  
• Common data inputs and data outputs  
• JEDEC 100-Pin TQFP and  
119-pin PBGA package  
Writecyclesareinternallyself-timedandareinitiatedbythe  
risingedgeoftheclockinput.Writecyclescanbeonetofour  
bytes wide as controlled by the write control inputs.  
• Power Supply  
+3.3V Vcc  
Separate byte enables allow individual bytes to be written.  
Bytewriteoperationisperformedbyusingbytewriteenable  
(BWE).inputcombinedwithoneormoreindividualbytewrite  
signals(BWx).Inaddition,GlobalWrite(GW)isavailablefor  
writing all bytes at one time, regardless of the byte write  
controls.  
+3.3V or 2.5 VccQ (I/O)  
• Auto Power-down during deselect  
• Single cycle deselect  
• Snooze MODE for reduced-power standby  
• JTAG Boundary Scan for PBGA package  
• T Versions (three chips selects)  
• D Versions (two chips selects)  
• J Version (PBGA Pacakge with JTAG)  
Bursts can be initiated with either ADSP (Address Status  
Processor) or ADSC (Address Status Cache Controller)  
input pins. Subsequent burst addresses can be generated  
internally and controlled by the ADV (burst address ad-  
vance) input pin.  
The mode pin is used to select the burst sequence order,  
Linear burst is achieved when this pin is tied LOW. Inter-  
leave burst is achieved when this pin is tied HIGH or left  
floating.  
FAST ACCESS TIME  
Symbol  
Parameter  
Clock Access Time  
Cycle Time  
-250  
2.6  
4
-225  
2.8  
-200  
3.1  
5
-166  
3.5  
6
Units  
ns  
tKQ  
tKC  
4.4  
ns  
Frequency  
250  
225  
200  
166  
MHz  
This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best  
possible product. We assume no responsibility for any errors which may appear in this publication. © Copyright 2001, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
PRELIMINARYINFORMATION Rev. 00A  
1
02/10/02  
1234567...29

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS61LPS25636D-225TQI ISSI

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