Datasheet > IRL81

IRL81

更新时间： 2024-11-20 22:48:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
3页	155K
描述
GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRL81 数据手册

IRL 81 A

GaAlAs-Infrarot-Sendediode

GaAlAs Infrared Emitter

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen

Infrarotbereich

● GaAIAs infrared emitting diode in the near

infrared range

● Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse,

seitliche Abstrahlung

● Clear plastic package with lateral emission

● Cost-effective

● Preisgünstig

● Long-term stability

● Lange Lebensdauer

● Wide beam (± 25°)

(Langzeitstabilität)

● Matches phototransistor LPT 80 A

● Weiter Öffnungskegel (± 25°)

● Passend zu Fototransistor LPT 80 A

Anwendungen

Applications

● Fertigungs- und Kontrollanwendungen

der Industrie, die eine Unterbrechung

des Lichtstrahls erfordern

● For a variety of manufacturing and

monitoring applications which require beam

interruption

● Lichtschranken

● Light barriers

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

IRL 81 A

Q68000-A8000

10.95

Semiconductor Group

12 3

中文翻译

下载PDF

与IRL81相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL8113	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL8113L	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL8113LPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL8113PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL8113S	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL8113SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL8113STRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL8113STRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL8113STRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL8114PBF	INFINEON	获取价格	Optimized for UPS/Inverter Applications