是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LEAD FREE PACKAGE-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 0.84 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 560 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 150 A | 最大漏极电流 (ID): | 75 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0038 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 140 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 600 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRLB8743PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRLB3813PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRL7833S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET | |
IRL7833SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRL7N1404 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) | |
IRL7NJ3802 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) | |
IRL7Y1905C | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) 50V, N-CHANNEL | |
IRL7YS1404CM | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA) 40V, N-CHANNEL | |
IRL80 | INFINEON |
获取价格 |
GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter | |
IRL801 | RECTRON |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER | |
IRL802 | RECTRON |
获取价格 |
Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 8.0 A;Max Surge Current : 125 A;Forward Vo | |
IRL803 | RECTRON |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER |