是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.40.20.00 |
风险等级: | 5.79 | 配置: | SINGLE |
最大正向电流: | 0.06 A | JESD-609代码: | e3 |
功能数量: | 1 | 最高工作温度: | 100 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 光电设备类型: | INFRARED LED |
峰值波长: | 950 nm | 形状: | ROUND |
尺寸: | 1.52 mm | 端子面层: | Tin (Sn) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
Q68000A8000 | OSRAM |
功能相似 |
GaAlAs-Infrarot-Sendediode | |
Q68000A7851 | OSRAM |
功能相似 |
GaAs-Infrarot-Sendediode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRL-80-A | OSRAM |
获取价格 |
GaAs infrared emitting diode | |
IRL80HS120 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IRL81 | INFINEON |
获取价格 |
GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter | |
IRL8113 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRL8113L | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRL8113LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRL8113PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRL8113S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRL8113SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRL8113STRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |