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IRL7YS1404CM

更新时间： 2024-01-01 14:04:19
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
7页 130K
描述
HEXFET POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA) 40V, N-CHANNEL

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IRL7YS1404CM 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-257AA包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.47
雪崩能效等级（Eas）：785 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257AAJESD-30 代码：R-MSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRL7YS1404CM 数据手册

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PD - 94676  
HEXFET® POWER MOSFET  
IRL7YS1404CM  
THRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA)  
40V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
RDS(on)  
ID  
DSS  
IRL7YS1404CM  
40V  
0.007Ω 20A*  
Low Ohmic  
TO-257AA  
Seventh Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
20*  
20*  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
80  
DM  
@ T = 25°C  
P
100  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.8  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
785  
mJ  
A
AS  
I
20  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
10  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
1.8  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in./1.6mm from case for 10s)  
4.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
06/02/03  
1234567

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