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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL7Y1905C | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) 50V, N-CHANNEL |
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| IRL7YS1404CM | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA) 40V, N-CHANNEL |
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| IRL80 | INFINEON |
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GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter |
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| IRL801 | RECTRON |
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GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER |
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| IRL803 | RECTRON |
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GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER |
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| IRL804 | RECTRON |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER |
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| IRL805 | RECTRON |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER |
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| IRL806 | RECTRON |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER |
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| IRL807 | RECTRON |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER |
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| IRL80A | OSRAM |
获取价格 |
GaAs-Infrarot-Sendediode |
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