5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHQ8110PBF
IRHQ8110PBF PDF预览

IRHQ8110PBF

更新时间： 2024-02-01 22:54:13
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 129K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.75ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHQ8110PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, S-CQCC-N28Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：85 mJ
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.75 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-CQCC-N28
元件数量：4端子数量：28
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHQ8110PBF 数据手册

 浏览型号IRHQ8110PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHQ8110PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHQ8110PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHQ8110PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHQ8110PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHQ8110PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 93785A  
IRHQ7110  
100V, QUAD N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-28)  
RAD-Hard™ HEXFET®  
MOSFETTECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHQ7110  
IRHQ3110  
IRHQ4110  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
600K Rads (Si)  
0.6Ω  
0.6Ω  
0.6Ω  
0.75Ω  
3.0A  
3.0A  
3.0A  
3.0A  
IRHQ8110 1000K Rads (Si)  
LCC-28  
International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET® MOSFET  
technology provides high performance power MOSFETs  
for space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been characterized  
for both Total Dose and Single Event Effects (SEE). The  
combination of low RDS(on) and low gate charge reduces  
the power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices re-  
tain all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of parallel-  
ing and temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings (Per Die)  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
3.0  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
1.9  
12  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
12  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.1  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
85  
mJ  
A
AS  
I
3.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
1.2  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
3.0  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
0.89 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/27/00  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRHQ8110PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHQ8214 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)
IRHQ9110 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)
IRHQ9110SCS INFINEON

获取价格

 		100V Quad P-Channel MOSFET in a 28-pin LCC package - Standard Packaging
IRHQ93110 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 1.1ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHQ93110PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 1.1ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHSLNA53064 INFINEON

获取价格

 		RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHSLNA53064SCS INFINEON

获取价格

 		60V Hi-Rel Synchronous Rectifier N-Channel MOSFET in a SMD-2 package - Screening Level Spa
IRHSLNA53Z60 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHSLNA54064 INFINEON

获取价格

 		RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHSLNA54Z60 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT

与IRHQ8110PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证