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IRHSLNA58064

更新时间： 2024-11-20 03:36:55
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 116K
描述
RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2)

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IRHSLNA58064 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
雪崩能效等级（Eas）：370 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0061 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHSLNA58064 数据手册

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PD-94401A  
RAD-HARD  
SYNCHRONOUS RECTIFIER  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
IRHSLNA57064  
60V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
QG  
IRHSLNA57064 100K Rads (Si) 6.1mΩ 160nC  
IRHSLNA53064 300K Rads (Si) 6.1mΩ 160nC  
IRHSLNA54064 600K Rads (Si) 6.1mΩ 160nC  
IRHSLNA58064 1000K Rads (Si) 7.1mΩ 160nC  
SMD-2  
Description:  
The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs  
and Schottky diodes offers the designer an innovative,  
board space saving solution for switching regulator and  
power management applications.RAD-Hard MOSFETs  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area.Combining  
this technology with International Rectifier’s low forward  
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient  
device suitable for use in a wide variety of Military and  
Space applications.  
Features:  
n
Co-Pack N-channel RAD-Hard MOSFET  
and Schottky Diode  
n
Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC  
Converters up to 75A Output  
Low Conduction Losses  
Low Switching Losses  
Low Vf Schottky Rectifier  
n
n
n
n
Refer to IRHSNA57064 for Lower R  
DS(on)  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain or Source Current  
75*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain or Source Current  
75*  
300  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
DM  
@ T = 25°C  
P
Max. Power Dissipation  
250  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
370  
mJ  
A
AS  
I
75  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current ➀  
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current ➀  
Opeating and Storage Temperature Range  
25  
mJ  
AR  
(AV)@ T = 25°C  
I
F
75*  
C
A
I
(AV)@ T =100°C  
75*  
F
C
T
T
-55 to 150  
J, STG  
°C  
g
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
08/07/02  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Rad hard, 30V, 75A, single, N-channel MOSFET, in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) TID

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