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IRHY53130CMSCS

更新时间： 2024-01-13 08:40:30

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
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8页	1283K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IRHY53130CMSCS 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
雪崩能效等级（Eas）：	87 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.07 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-257AA	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A	参考标准：	MIL-19500
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	65 ns
最大开启时间（吨）：	125 ns	Base Number Matches：	1

IRHY53130CMSCS 数据手册

PD-93826F

IRHY57130CM

JANSR2N7484T3

100V, N-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/702

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

TECHNOLOGY

THRU-HOLE (TO-257AA)

Product Summary

Part Number

IRHY57130CM

IRHY53130CM

IRHY55130CM

IRHY58130CM

Radiation Level RDS(on)

I_D

QPL Part Number

JANSR2N7484T3

JANSF2N7484T3

JANSG2N7484T3

JANSH2N7484T3

100 kRads(Si)

300 kRads(Si)

500 kRads(Si)

1000 kRads(Si)

18A*

0.07

0.085

TO-257AA

Features

Description

 Single Event Effect (SEE) Hardened

 Ultra Low RDS(on)

 Low Total Gate Charge

 Simple Drive Requirements

 Ease of Paralleling

 Hermetically Sealed

 Electrically Isolated

 Ceramic Eyelets

IRHY57130CM is part of the International Rectifier HiRel

family of products. IR HiRel R5 technology provides high

performance power MOSFETs for space applications.

These devices have been characterized for both Total

Dose and Single Event Effect (SEE) with useful

performance up to LET of 80 (MeV/(mg/cm²). The

combination of low RDS(on) and low gate charge reduces

the power losses in switching applications such as DC-DC

converters and motor controllers. These devices retain all

of the well established advantages of MOSFETs such as

voltage control, fast switching, ease of paralleling and

temperature stability of electrical parameters.

 Light Weight

 ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750,

Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Pre-Irradiation

Units

18*

I_D@ V_GS= 12V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D@ V_GS= 12V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

0.6

I_DM

Pulsed Drain Current 

W/°C

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

± 20

V_GS

E_AS

I_AR

7.5

V/ns

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

1.4

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

4.3 (Typical)

Weight

* Current is limited by package

For Footnotes, refer to the page 2.

International Rectifier HiRel Products, Inc.

2018-03-12

12 3 4 5 6 7 8

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与IRHY53130CMSCS相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHY53230CM	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)	获取价格
IRHY53Z30CM	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)	获取价格
IRHY54034CM	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)	获取价格
IRHY54034CMPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
IRHY54130CM	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET	获取价格
IRHY54230CM	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)	获取价格

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