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IRHSNA57Z60SCVD

更新时间： 2024-11-18 14:56:15
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 113K
描述
Rad hard, 30V, 75A, single, N-channel MOSFET, in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) TID, QIRL, On DBC carrier

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IRHSNA57Z60SCVD 数据手册

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PD-94237F  
RAD-HARD  
SYNCHRONOUS RECTIFIER  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
IRHSNA57Z60  
30V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
QG  
IRHSNA57Z60 100K Rads (Si) 3.5mΩ 200nC  
IRHSNA53Z60 300K Rads (Si) 3.5mΩ 200nC  
IRHSNA54Z60 600K Rads (Si) 3.5mΩ 200nC  
IRHSNA58Z60 1000K Rads (Si) 4.0mΩ 200nC  
SMD-2  
Description:  
The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs  
and Schottky diodes offers the designer an innovative,  
board space saving solution for switching regulator and  
power management applications.RAD-Hard MOSFETs  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area.Combining  
this technology with International Rectifier’s low forward  
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient  
device suitable for use in a wide variety of Military and  
Space applications.  
Features:  
n
Co-Pack N-channel RAD-Hard MOSFET  
and Schottky Diode  
n
Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC  
Converters up to 75A Output  
Low Conduction Losses  
Low Switching Losses  
Low Vf Schottky Rectifier  
n
n
n
n
Refer to IRHSLNA57Z60 for Lower Inductance  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain or Source Current  
75*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain or Source Current  
75*  
300  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
DM  
@ T = 25°C  
P
Max. Power Dissipation  
250  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
75  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current ➀  
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current ➀  
Opeating and Storage Temperature Range  
25  
mJ  
AR  
(AV)@ T = 25°C  
I
F
75*  
C
A
I
(AV)@ T =100°C  
75*  
F
C
T
T
-55 to 150  
J, STG  
°C  
g
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
09/06/02  
1234567...9

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与IRHSNA57Z60SCVD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHSNA58064 INFINEON

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 		RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT(SMD-2)
IRHSNA58Z60 INFINEON

获取价格

 		RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2) 30V N-CHANNEL
IRHY3130CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY3230CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY4130CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY4130CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHY4230CM INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRHY53130CM INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET

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