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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHY53130CMPBF
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IRHY53130CMPBF

更新时间： 2024-11-20 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 130K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN

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IRHY53130CMPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68雪崩能效等级（Eas）：87 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.07 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A参考标准：RH - 300K Rad(Si)
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：65 ns最大开启时间（吨）：125 ns
Base Number Matches：1

IRHY53130CMPBF 数据手册

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ꢁ
PD - 93826D  
IRHY57130CM  
JANSR2N7484T3  
100V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
REF: MIL-PRF-19500/702  
TECHNOLOGY  
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
IRHY57130CM 100K Rads (Si) 0.07Ω  
IRHY53130CM 300K Rads (Si) 0.07Ω  
IRHY54130CM 500K Rads (Si) 0.07Ω  
IRHY58130CM1000K Rads (Si) 0.085Ω  
ID  
QPL Part Number  
18A* JANSR2N7484T3  
18A* JANSF2N7484T3  
18A* JANSG2N7484T3  
18A* JANSH2N7484T3  
TO-257AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications.These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
18*  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
14  
72  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
87  
GS  
E
mJ  
A
AS  
I
18  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
1.4  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in./1.6mm from case for 10sec)  
4.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
4/26/06  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHY53130CMSCS INFINEON

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