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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHY53034CMPBF
IRHY53034CMPBF PDF预览

IRHY53034CMPBF

更新时间： 2024-11-20 13:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 134K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

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IRHY53034CMPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-CSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHY53034CMPBF 数据手册

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ꢁ
PD - 93825D  
IRHY57034CM  
JANSR2N7483T3  
60V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
REF: MIL-PRF-19500/702  
TECHNOLOGY  
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
IRHY57034CM 100K Rads (Si) 0.04Ω  
IRHY53034CM 300K Rads (Si) 0.04Ω  
IRHY54034CM 500K Rads (Si) 0.04Ω  
ID  
QPL Part Number  
18A* JANSR2N7483T3  
18A* JANSF2N7483T3  
18A* JANSG2N7483T3  
IRHF58034CM 1000K Rads (Si) 0.048Ω 18A* JANSH2N7483T3  
TO-257AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
Features:  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of  
paralleling and temperature stability of electrical  
parameters.  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
18*  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
18*  
72  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
110  
18  
GS  
E
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
10  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in./1.6mm from case for 10sec)  
4.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
04/26/06  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHY53130CM INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET
IRHY53130CMPBF INFINEON

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