5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRHSNA57Z60SCSD
IRHSNA57Z60SCSD PDF预览

IRHSNA57Z60SCSD

更新时间： 2024-11-25 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 113K
描述
Rad hard, 30V, 75A, single, N-channel MOSFET, in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) TID, QIRL, On DBC carrier

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHSNA57Z60SCSD 技术参数

生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.67
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHSNA57Z60SCSD 数据手册

 浏览型号IRHSNA57Z60SCSD的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHSNA57Z60SCSD的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHSNA57Z60SCSD的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHSNA57Z60SCSD的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHSNA57Z60SCSD的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHSNA57Z60SCSD的Datasheet PDF文件第7页 
PD-94237F  
RAD-HARD  
SYNCHRONOUS RECTIFIER  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
IRHSNA57Z60  
30V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
QG  
IRHSNA57Z60 100K Rads (Si) 3.5mΩ 200nC  
IRHSNA53Z60 300K Rads (Si) 3.5mΩ 200nC  
IRHSNA54Z60 600K Rads (Si) 3.5mΩ 200nC  
IRHSNA58Z60 1000K Rads (Si) 4.0mΩ 200nC  
SMD-2  
Description:  
The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs  
and Schottky diodes offers the designer an innovative,  
board space saving solution for switching regulator and  
power management applications.RAD-Hard MOSFETs  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area.Combining  
this technology with International Rectifier’s low forward  
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient  
device suitable for use in a wide variety of Military and  
Space applications.  
Features:  
n
Co-Pack N-channel RAD-Hard MOSFET  
and Schottky Diode  
n
Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC  
Converters up to 75A Output  
Low Conduction Losses  
Low Switching Losses  
Low Vf Schottky Rectifier  
n
n
n
n
Refer to IRHSLNA57Z60 for Lower Inductance  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain or Source Current  
75*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain or Source Current  
75*  
300  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
DM  
@ T = 25°C  
P
Max. Power Dissipation  
250  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
75  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current ➀  
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current ➀  
Opeating and Storage Temperature Range  
25  
mJ  
AR  
(AV)@ T = 25°C  
I
F
75*  
C
A
I
(AV)@ T =100°C  
75*  
F
C
T
T
-55 to 150  
J, STG  
°C  
g
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
09/06/02  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IRHSNA57Z60SCSD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHSNA57Z60SCVD INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 30V, 75A, single, N-channel MOSFET, in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) TID
IRHSNA58064 INFINEON

获取价格

 		RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT(SMD-2)
IRHSNA58Z60 INFINEON

获取价格

 		RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2) 30V N-CHANNEL
IRHY3130CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY3230CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY4130CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY4130CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHY4230CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY53034CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRHY53034CMPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IRHSNA57Z60SCSD相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证