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IRHSNA54064PBF

更新时间： 2024-11-24 20:05:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 114K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-2, 3 PIN

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IRHSNA54064PBF 数据手册

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PD-94323C  
RAD-HARD  
SYNCHRONOUS RECTIFIER  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
IRHSNA57064  
60V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
QG  
IRHSNA57064 100K Rads (Si) 5.6mΩ 160nC  
IRHSNA53064 300K Rads (Si) 5.6mΩ 160nC  
IRHSNA54064 600K Rads (Si) 5.6mΩ 160nC  
IRHSNA58064 1000K Rads (Si) 6.5mΩ 160nC  
SMD-2  
Description:  
The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs  
and Schottky diodes offers the designer an innovative,  
board space saving solution for switching regulator and  
power management applications.RAD-Hard MOSFETs  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area.Combining  
this technology with International Rectifier’s low forward  
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient  
device suitable for use in a wide variety of Military and  
Space applications.  
Features:  
n
Co-Pack N-channel RAD-Hard MOSFET  
and Schottky Diode  
n
Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC  
Converters up to 75A Output  
Low Conduction Losses  
Low Switching Losses  
Low Vf Schottky Rectifier  
n
n
n
n
Refer to IRHSLNA57064 for Lower Inductance  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain or Source Current  
75*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain or Source Current  
75*  
300  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
DM  
@ T = 25°C  
P
Max. Power Dissipation  
250  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
370  
mJ  
A
AS  
I
75  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current ➀  
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current ➀  
Opeating and Storage Temperature Range  
25  
mJ  
AR  
(AV)@ T = 25°C  
I
F
75*  
C
A
I
(AV)@ T =100°C  
75*  
F
C
T
T
-55 to 150  
J, STG  
°C  
g
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
07/30/02  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHSNA54Z60 INFINEON

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 		RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2) 30V N-CHANNEL
IRHSNA57064 INFINEON

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 		RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT(SMD-2)
IRHSNA57Z60 INFINEON

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 		RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2) 30V N-CHANNEL
IRHSNA57Z60D INFINEON

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 		Rad hard, 30V, 75A, single, N-channel MOSFET, in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) TID
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 		Rad hard, 30V, 75A, single, N-channel MOSFET, in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si) TID
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