5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRHSLNA57064
IRHSLNA57064 PDF预览

IRHSLNA57064

更新时间： 2024-11-20 03:36:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 116K
描述
RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHSLNA57064 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：SMD-2, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
Is Samacsys：N其他特性：RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：370 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0061 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified参考标准：RH - 100K Rad(Si)
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：125 ns最大开启时间（吨）：160 ns
Base Number Matches：1

IRHSLNA57064 数据手册

 浏览型号IRHSLNA57064的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHSLNA57064的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHSLNA57064的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHSLNA57064的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHSLNA57064的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHSLNA57064的Datasheet PDF文件第7页 
PD-94401A  
RAD-HARD  
SYNCHRONOUS RECTIFIER  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
IRHSLNA57064  
60V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
QG  
IRHSLNA57064 100K Rads (Si) 6.1mΩ 160nC  
IRHSLNA53064 300K Rads (Si) 6.1mΩ 160nC  
IRHSLNA54064 600K Rads (Si) 6.1mΩ 160nC  
IRHSLNA58064 1000K Rads (Si) 7.1mΩ 160nC  
SMD-2  
Description:  
The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs  
and Schottky diodes offers the designer an innovative,  
board space saving solution for switching regulator and  
power management applications.RAD-Hard MOSFETs  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area.Combining  
this technology with International Rectifier’s low forward  
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient  
device suitable for use in a wide variety of Military and  
Space applications.  
Features:  
n
Co-Pack N-channel RAD-Hard MOSFET  
and Schottky Diode  
n
Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC  
Converters up to 75A Output  
Low Conduction Losses  
Low Switching Losses  
Low Vf Schottky Rectifier  
n
n
n
n
Refer to IRHSNA57064 for Lower R  
DS(on)  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain or Source Current  
75*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain or Source Current  
75*  
300  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
DM  
@ T = 25°C  
P
Max. Power Dissipation  
250  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
GS  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
370  
mJ  
A
AS  
I
75  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current ➀  
Schottky and Body Diode Avg. Forward Current ➀  
Opeating and Storage Temperature Range  
25  
mJ  
AR  
(AV)@ T = 25°C  
I
F
75*  
C
A
I
(AV)@ T =100°C  
75*  
F
C
T
T
-55 to 150  
J, STG  
°C  
g
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
08/07/02  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IRHSLNA57064相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHSLNA57064A INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHSLNA57064D INFINEON

获取价格

 		60V Hi-Rel Synchronous Rectifier N-Channel MOSFET in a SMD-2 package - On DBC Carrier
IRHSLNA57064SCS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHSLNA57064SCSD INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHSLNA57064SCV INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHSLNA57Z60 INFINEON

获取价格

 		RAD-HARD IRHSLNA57Z60 RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHSLNA58064 INFINEON

获取价格

 		RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT (SMD-2)
IRHSLNA58Z60 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHSNA53064 INFINEON

获取价格

 		RAD-HARD SYNCHRONOUS RECTIFIER SURFACE MOUNT(SMD-2)
IRHSNA53064PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRHSLNA57064相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证