5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ24L | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFZ24L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ24LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ24N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
|
| IRFZ24N | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
|
| IRFZ24N,127 | NXP |
获取价格 |
IRFZ24N |
|
| IRFZ24NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
|
| IRFZ24NL | TRSYS |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ24NLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFZ24NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
