是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-262AA |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.08 |
雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 17 A | 最大漏极电流 (ID): | 17 A |
最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 60 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 68 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFZ24LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFZ24N | INFINEON |
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Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
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IRFZ24N | NXP |
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N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
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IRFZ24N,127 | NXP |
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IRFZ24N |
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IRFZ24NL | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
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IRFZ24NL | TRSYS |
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Power MOSFET |
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IRFZ24NLPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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IRFZ24NPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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IRFZ24NS | TRSYS |
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Power MOSFET |
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IRFZ24NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
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