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IRFY440CMPBF

更新时间： 2024-02-22 09:25:14
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 269K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

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IRFY440CMPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-257AA
包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.32
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：510 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.85 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-257AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：123 ns最大开启时间（吨）：94 ns

IRFY440CMPBF 数据手册

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Index  
Next Data Sheet  
Provisional Data Sheet No. PD 9.1292B  
HEXFET® POWER MOSFET  
IRFY440CM  
N-CHANNEL  
500 Volt, 0.85Ω HEXFET  
Product Summary  
HEXFET technology is the key to International Rectifier’s  
advanced line of power MOSFET transistors. The effi-  
cient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance.  
Part Number  
BV  
R
I
D
DSS  
DS(on)  
IRFY440CM  
500V  
0.85Ω  
7.0A  
HEXFET transistors also feature all of the well-estab-  
lished advantages of MOSFETs, such as voltage con-  
trol, very fast switching, ease of paralleling and electri-  
cal parameter temperature stability.They are well-suited  
for applications such as switching power supplies, mo-  
tor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, high  
energy pulse circuits, and virtually any application where  
high reliability is required.  
Features  
n Hermetically sealed  
n Electrically isolated  
n Simple Drive Requirements  
n Ease of Paralleling  
n Ceramic eyelets  
The HEXFET transistor’s totally isolated package elimi-  
nates the need for additional isolating material between  
the device and the heatsink.This improves thermal effi-  
ciency and reduces drain capacitance.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
IRFY440CM  
Units  
I
I
I
@ V =10V, T = 25°C  
GS  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current   
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
7.0  
4.4  
28  
D
C
@ V =10V, T = 100°C  
GS  
A
D
C
DM  
P
@ T = 25°C  
100  
0.8  
±20  
W
W/Kꢀ  
V
D
C
V
E
GS  
AS  
Single Pulse Avalance Energy ‚  
Avalance Current   
510  
7.0  
mJ  
I
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction  
10  
mJ  
AR  
dv/dt  
3.5  
V/ns  
T
T
-55 to 150  
J
Storage Temperature Range  
°C  
g
stg  
LeadTemperature  
Weight  
300 (0.063 in (1.6mm) from case for 10 sec)  
4.3(typical)  
To Order  
 
 
123456

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