是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-257AA |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.66 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 5.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.98 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-257AA | JESD-30 代码: | R-MSFM-P3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 22 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFY540 | SEME-LAB |
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N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed | |
IRFY9120 | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Package | |
IRFY9120(M) | INFINEON |
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100V, 0.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA | |
IRFY9120(M)PBF | INFINEON |
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100V, 0.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA | |
IRFY9120C | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed | |
IRFY9120M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | TO-220 | |
IRFY9120MPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IRFY9130 | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS | |
IRFY9130C | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)100V, P-CHAN | |
IRFY9130C | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed |