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IRFU3910PBF

更新时间: 2024-11-24 04:23:19
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10页 389K
描述
HEXFET Power MOSFET

IRFU3910PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:0.88Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):150 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A
最大漏极电流 (ID):16 A最大漏源导通电阻:0.115 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-251AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):52 W最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFU3910PBF 数据手册

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PD - 95079A  
IRFR3910PbF  
IRFU3910PbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
1/7/05  

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