5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFU4104PBF
IRFU4104PBF PDF预览

IRFU4104PBF

更新时间： 2024-09-09 03:38:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 270K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5mヘ , ID = 42A )

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFU4104PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.8Is Samacsys：N
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRFU4104PBF 数据手册

 浏览型号IRFU4104PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFU4104PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFU4104PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFU4104PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFU4104PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFU4104PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95425A  
IRFR4104PbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFU4104PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
VDSS = 40V  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 5.5mΩ  
G
ID = 42A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction operating tempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating . These features combine to make this design an extremely  
efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand  
a wide variety of other applications.  
D-Pak  
IRFR4104  
I-Pak  
IRFU4104  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
119  
84  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
A
(Package Limited)  
@ T = 25°C  
C
42  
480  
140  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.95  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
145  
310  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.05  
40  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
JC  
JA  
JA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
12/06/04  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

IRFU4104PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFU4104 INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET

与IRFU4104PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFU4105 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=2
IRFU4105 KERSEMI

获取价格

 		Ultra Low On-Resistance
IRFU4105PBF KERSEMI

获取价格

 		Ultra Low On-Resistance
IRFU4105PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFU4105Z INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A)
IRFU4105ZPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU410A FAIRCHILD

获取价格

 		Advanced Power MOSFET
IRFU410ATU FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
IRFU410B FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
IRFU410BTU FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述

与IRFU4104PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证