IRFU1N60A

更新时间： 2024-09-16 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	156K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFU1N60A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	93 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A
最大漏极电流 (ID)：	1.4 A	最大漏源导通电阻：	7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5.6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFU1N60A 数据手册

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)(Max.) (Ω)

Q_g(Max.) (nC)

600

Available

V_GS= 10 V

7.0

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

2.7

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

8.1

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• Power Factor Correction

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Low Power Single Transistor Flyback

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR1N60APbF

SiHFR1N60A-E3

IRFR1N60A

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRLPbF^a

SiHFR1N60ATL-E3^a

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRPbF^a

SiHFR1N60AT-E3^a

IRFR1N60ATR^a

SiHFR1N60AT^a

DPAK (TO-252)

IRFR1N60ATRRPbF^aIRFU1N60APbF

SiHFR1N60ATR-E3^a

IPAK (TO-251)

Lead (Pb)-free

SiHFU1N60A-E3

IRFU1N60A

SnPb

SiHFR1N60A

SiHFU1N60A

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

1.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

0.89

5.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.28

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1.4

E_AR

3.6

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 95 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.4 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 1.4 A, dI/dt ≤ 180 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91267

S-81367-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRFU1N60A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU1N60APBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFU1N60APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU210	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU210	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU210	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A)
IRFU210A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 2.7A I(D) \| TO-251AA
IRFU210B	FAIRCHILD	获取价格	200V N-Channel MOSFET
IRFU210BTU	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
IRFU210PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRFU210PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET

与IRFU1N60A相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

9
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

8
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

90
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU1N60A

IRFU1N60A 技术参数

IRFU1N60A 数据手册

与IRFU1N60A相关器件

与IRFU1N60A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU1N60A

IRFU1N60A 技术参数

IRFU1N60A 数据手册

与IRFU1N60A相关器件

与IRFU1N60A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？