IRFU210

更新时间： 2024-11-09 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
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描述
Power MOSFET

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IRFU210 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.6 A	最大漏极电流 (ID)：	2.6 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFU210 数据手册

IRFR210, IRFU210, SiHFR210, SiHFU210

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

200

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.5

RoHS*

• Surface Mount (IRFR210/SiHFR210)

• Straight Lead (IRFU210/SiHFU210)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

8.2

1.8

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

4.5

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR210PbF

SiHFR210-E3

IRFR210

DPAK (TO-252)

IRFR210TRPbF^a

SiHFR210T-E3^a

IRFR210TR^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRFU210PbF

SiHFU210-E3

IRFU210

IRFR210TRLPbF^a

SiHFR210TL-E3^a

IRFR210TRL^a

Lead (Pb)-free

IRFR210TRR^a

SiHFR210TR^a

SnPb

SiHFR210

SiHFR210TL^a

SiHFR210T^a

SiHFU210

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

200

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

2.6

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

1.7

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

0.020

130

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

2.7

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 28 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.6 A, dI/dt ≤ 70 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91268

S-81394-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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与IRFU210相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU210A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 2.7A I(D) \| TO-251AA
IRFU210B	FAIRCHILD	获取价格	200V N-Channel MOSFET
IRFU210BTU	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
IRFU210PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRFU210PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU210PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU211	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 2.7A I(D) \| TO-251AA
IRFU212	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFU212	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFU214	INTERSIL	获取价格	2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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