IRFU214PBF

更新时间： 2024-09-16 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1743K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFU214PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-251AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.71	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	190 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	2.2 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8.8 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFU214PBF 数据手册

IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

250

Available

• Repetitive Avalanche Rated

RoHS*

• Surface Mount (IRFR9210/SiHFR9210)

COMPLIANT

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

2.0

Q_g(Max.) (nC)

8.2

1.8

• Straight Lead (IRFU9210/SiHFU9210)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

4.5

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR214PbF

SiHFR214-E3

IRFR214

DPAK (TO-252)

IRFR214TRLPbF^a

SiHFR214TL-E3^a

DPAK (TO-252)

IRFR214TRPbF^a

SiHFR214T-E3^a

IRFR214TR^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRFU214PbF

SiHFU214-E3

IRFU214

Lead (Pb)-free

IRFR214TRR^a

SiHFR214TR^a

SnPb

SiHFR214

SiHFR214T^a

SiHFU214

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

250

V_GS

_C= 25 °C

2.2

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.4

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.8

Linear Derating Factor

0.20

0.020

190

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

2.2

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

T_J, T_stg

4.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

260^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, Starting T_J= 25 °C, L = 62 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.2 A, dI/dt ≤ 65 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1” square PCB (FR-4 or G-10 Material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91269

S-81411-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRFU214PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU220	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU220	ROCHESTER	获取价格	4.6A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRFU220	INTERSIL	获取价格	4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFU220	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU220A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRFU220ATU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFU220B	FAIRCHILD	获取价格	200V N-Channel MOSFET
IRFU220BTLTU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFU220BTLTU_FP001	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFU220BTU_FP001	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRFU214PBF相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

88
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

79

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU214PBF

IRFU214PBF 技术参数

IRFU214PBF 数据手册

与IRFU214PBF相关器件

与IRFU214PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU214PBF

IRFU214PBF 技术参数

IRFU214PBF 数据手册

与IRFU214PBF相关器件

与IRFU214PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？