是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.75 | 雪崩能效等级(Eas): | 71 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 4.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.8 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQU7N20TU | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFU210PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET | |
IRFU220PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU220ATU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
IRFU220B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET | |
IRFU220BTLTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFU220BTLTU_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
IRFU220BTU_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFU220BTU-AM002 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,B-FET,200 V,4.6 A,0.9 Ω,IPAK | |
IRFU220N | KERSEMI |
获取价格 |
SMPS MOSFET | |
IRFU220N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A) | |
IRFU220NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
SMPS MOSFET | |
IRFU220NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |