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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 45 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8.5 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU214BTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRFU214PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFU214PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU214PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFU220 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU220 | ROCHESTER |
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4.6A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
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| IRFU220 | INTERSIL |
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4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFU220 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFU220A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFU220ATU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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