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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU212 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU212 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU214 | INTERSIL |
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2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFU214 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFU214 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFU214 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.2A) |
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| IRFU214A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251AA |
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| IRFU214ATU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFU214B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRFU214BTU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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