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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 85 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU220A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFU220ATU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFU220B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| IRFU220BTLTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFU220BTLTU_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRFU220BTU_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFU220BTU-AM002 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，B-FET，200 V，4.6 A，0.9 Ω，IPAK |
|
| IRFU220N | KERSEMI |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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| IRFU220N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A) |
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| IRFU220NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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