5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.8 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP441 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8.1A I(D) | TO-247AC |
|
| IRFP4410ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFP441R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP442 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFP442R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7.7A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP443 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFP443R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7.7A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP4468 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFP4468 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
|
| IRFP4468PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
