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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 510 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 104 ns | 最大开启时间（吨）： | 56 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP443R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7.7A I(D) | TO-247 |
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| IRFP4468 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFP4468 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFP4468PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP448 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP448 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
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| IRFP448PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP449 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-247AC |
|
| IRFP450 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14A - TO-247 PowerMESH] MOSFET |
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| IRFP450 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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