是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-247AC |
包装说明: | TO-247AC, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 4.44 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 242 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 97 A | 最大漏极电流 (ID): | 97 A |
最大漏源导通电阻: | 0.009 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247AC | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 250 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 230 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 390 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFP4710PBF | INFINEON |
类似代替 ![]() |
HEXFETPower MOSFET |
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IRFP150NPBF | INFINEON |
类似代替 ![]() |
HEXFET® Power MOSFET |
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IRFP140NPBF | INFINEON |
类似代替 ![]() |
HEXFET Power MOSFET |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFP441R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-247 |
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IRFP442 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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IRFP442R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7.7A I(D) | TO-247 |
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IRFP443 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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IRFP443R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7.7A I(D) | TO-247 |
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IRFP4468 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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IRFP4468 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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IRFP4468PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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IRFP448 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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IRFP448 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
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