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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.8 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP440R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP441 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8.1A I(D) | TO-247AC |
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| IRFP4410ZPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFP441R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP442 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFP442R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7.7A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP443 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFP443R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7.7A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP4468 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFP4468 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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