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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP142 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFP142R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
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| IRFP143 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247AC |
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| IRFP143R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
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| IRFP150 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFP150 | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFP150 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A) |
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| IRFP150 | IXYS |
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HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE |
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| IRFP150A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFP150A | ONSEMI |
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分立式 MOSFET |
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