是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 80 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 31 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.1 A |
最大漏源导通电阻: | 0.077 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 180 W | 最大功率耗散 (Abs): | 180 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 120 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 135 ns | 最大开启时间(吨): | 133 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFP142 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IRFP142R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
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IRFP143 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247AC |
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IRFP143R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247 |
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IRFP150 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFP150 | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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IRFP150 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A) |
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IRFP150 | IXYS |
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HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE |
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IRFP150A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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IRFP150A | ONSEMI |
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分立式 MOSFET |
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