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IRFP141R

更新时间: 2024-02-22 13:34:30
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其他 - ETC 晶体晶体管
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1页 44K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-247

IRFP141R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
雪崩能效等级(Eas):100 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):31 A最大漏极电流 (ID):3.1 A
最大漏源导通电阻:0.077 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:180 W最大功率耗散 (Abs):180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):135 ns最大开启时间(吨):133 ns
Base Number Matches:1

IRFP141R 数据手册

  
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