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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 34 A | 最大漏极电流 (ID)： | 34 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 180 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 229 ns | 最大开启时间（吨）： | 234 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP152R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP153 | IXYS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE |
|
| IRFP153FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR |
|
| IRFP153R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP15N60L | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFP15N60L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP15N60LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP15N60LPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
|
| IRFP17N50L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A) |
|
| IRFP17N50L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
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