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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFP150N
IRFP150N PDF预览

IRFP150N

更新时间： 2024-11-23 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
10页 142K
描述
44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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IRFP150N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.13Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：44 A
最大漏极电流 (ID)：44 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：155 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFP150N 数据手册

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IRFP150N  
Data Sheet  
January 2002  
44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET  
Packaging  
Features  
JEDEC TO-247  
• Ultra Low On-Resistance  
- r  
DS(ON)  
= 0.030Ω, V = 10V  
GS  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
• Simulation Models  
©
- Temperature Compensated PSPICE™ and SABER  
Electrical Models  
©
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
DRAIN  
(TAB)  
Ordering Information  
Symbol  
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-247  
BRAND  
IRFP150N  
D
IRFP150N  
G
S
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
IRFP150N  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
100  
20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
44  
31  
A
A
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .UIS  
Figures 6, 14, 15  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
155  
1.03  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
o
300  
260  
C
C
L
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
IRFP150N Rev. B  
1234567...10

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IRFP150N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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