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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AC |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 280 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 46 A | 最大漏极电流 (ID)： | 46 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 140 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 230 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP150A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFP150A | ONSEMI |
获取价格 |
分立式 MOSFET |
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| IRFP150A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFP150CF | NSC |
获取价格 |
IRFP150CF |
|
| IRFP150FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-218VAR |
|
| IRFP150MPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology, Dynamic dv/dt Rating |
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| IRFP150N | FAIRCHILD |
获取价格 |
44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| IRFP150N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A) |
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| IRFP150NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFP150PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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