IRFP150V

更新时间： 2024-01-13 01:49:14

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HEXFET Power MOSFET

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IRFP150V 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	280 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	46 A	最大漏极电流 (ID)：	46 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	140 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFP150V 数据手册

PD - 94459A

IRFP150V

HEXFET^®Power MOSFET

l Advanced Process Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Dynamic dv/dt Rating

V_DSS= 100V

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

R_DS(on)= 24mΩ

l Fully Avalanche Rated

I_D= 47A

Description

Advanced HEXFET^®Power MOSFETs from International Rectifier utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance

per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known

for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for

use in a wide variety of applications.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications

wherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices. TheTO-247

is similar but superior to the earlier TO-218 packcage because of its isolated

mounting hole.

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

230

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

140

W/°C

Linear Derating Factor

0.91

V_GS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

V/ns

5.8

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 srew

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

0.24

–––

Max.

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

1.1

–––

°C/W

www.irf.com

02/03/03

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP150VPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFP151	IXYS	获取价格	HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
IRFP151FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 26A I(D) \| TO-218VAR
IRFP151R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 40A I(D) \| TO-247
IRFP152	IXYS	获取价格	HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
IRFP152FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 21A I(D) \| TO-218VAR
IRFP152R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 34A I(D) \| TO-247
IRFP153	IXYS	获取价格	HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
IRFP153FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 21A I(D) \| TO-218VAR
IRFP153R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 34A I(D) \| TO-247

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