Datasheet > IRFP21N60LPBF

IRFP21N60LPBF

更新时间： 2024-10-01 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	162K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFP21N60LPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	11 weeks 3 days
风险等级：	0.75	雪崩能效等级（Eas）：	420 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A
最大漏极电流 (ID)：	21 A	最大漏源导通电阻：	0.32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP21N60LPBF 数据手册

IRFP21N60L, SiHFP21N60L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Superfast Body Diode Eliminates the Need for

External Diodes in ZVS Applications

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

600

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.27

RoHS*

• Lower Gate Charge Results in Simple Drive

Requirements

Q_g(Max.) (nC)

150

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

• Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise

Immunity

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

TO-247

APPLICATIONS

• Zero Voltage Switching SMPS

• Telecom and Server Power Supplies

• Uniterruptible Power Supplies

• Motor Control Applications

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP21N60LPbF

SiHFP21N60L-E3

IRFP21N60L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP21N60L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

2.6

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

420

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

330

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 1.9 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 21 A, dV/dt = 11 V/ns (see fig. 12a).

c. I_SD≤ 21 A, dI/dt ≤ 530 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91206

S-81273-Rev. B, 16-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRFP21N60LPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP220	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFP221	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFP222	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFP223	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFP22N50A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP22N50A	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.23ohm, Id=22A)
IRFP22N50APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)ma
IRFP22N60K	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP22N60K	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFP22N60KPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与IRFP21N60LPBF相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

28
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFP21N60LPBF

IRFP21N60LPBF 技术参数

IRFP21N60LPBF 数据手册

与IRFP21N60LPBF相关器件

与IRFP21N60LPBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFP21N60LPBF

IRFP21N60LPBF 技术参数

IRFP21N60LPBF 数据手册

与IRFP21N60LPBF相关器件

与IRFP21N60LPBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？