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IRFP21N60LPBF

更新时间： 2024-11-27 05:39:31
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威世 - VISHAY 晶体晶体管开关脉冲局域网
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8页 162K
描述
Power MOSFET

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IRFP21N60LPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：11 weeks 3 days
风险等级：0.75雪崩能效等级（Eas）：420 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A
最大漏极电流 (ID)：21 A最大漏源导通电阻：0.32 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFP21N60LPBF 数据手册

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IRFP21N60L, SiHFP21N60L  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Superfast Body Diode Eliminates the Need for  
External Diodes in ZVS Applications  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
600  
Available  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.27  
RoHS*  
• Lower Gate Charge Results in Simple Drive  
Requirements  
Qg (Max.) (nC)  
150  
46  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness  
64  
• Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise  
Immunity  
Configuration  
Single  
D
• Lead (Pb)-free Available  
TO-247  
APPLICATIONS  
• Zero Voltage Switching SMPS  
• Telecom and Server Power Supplies  
• Uniterruptible Power Supplies  
• Motor Control Applications  
G
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP21N60LPbF  
SiHFP21N60L-E3  
IRFP21N60L  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP21N60L  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
600  
V
VGS  
30  
T
C = 25 °C  
21  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
A
TC =100°C  
13  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
84  
Linear Derating Factor  
2.6  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
420  
21  
EAR  
33  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
330  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
16  
- 55 to + 150  
300d  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. Starting TJ = 25 °C, L = 1.9 mH, RG = 25 Ω, IAS = 21 A, dV/dt = 11 V/ns (see fig. 12a).  
c. ISD ≤ 21 A, dI/dt ≤ 530 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91206  
S-81273-Rev. B, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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