IRFP15N60L

更新时间： 2024-10-01 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
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Power MOSFET

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IRFP15N60L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247AC	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.17	雪崩能效等级（Eas）：	320 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.46 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	280 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP15N60L 数据手册

IRFP15N60L, SiHFP15N60L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Superfast Body Diode Eliminates the Need for

External Diodes in ZVS Applications

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

600

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.385

RoHS*

• Lower Gate Charge Results in Simple Drive

Requirements

Q_g(Max.) (nC)

100

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

Configuration

Single

• Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise

Immunity

• Lead (Pb)-free Available

TO-247

APPLICATIONS

• Zero Voltage Switching SMPS

• Telecom and Server Power Supplies

• Uninterruptible Power Supplies

• Motor Control Applications

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP15N60LPbF

SiHFP15N60L-E3

IRFP15N60L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP15N60L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

9.7

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

2.3

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

320

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

280

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 2.9 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 15 A, dV/dt = 10 V/ns (see fig. 12a).

c. I_SD≤ 15 A, dI/dt ≤ 340 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91204

www.vishay.com

S-Pedning-Rev. B, 24-Jun-08

WORK-IN-PROGRESS

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